Корольков В.И., Рахимов Н. - Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. [1986,DjVu,RUS]

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур.
Год выпуска: 1986
Автор: Корольков В.И., Рахимов Н.
Жанр: Учебное пособие
Язык: Русский
Издательство: ФАИ Ташкент
ISBN: Нет
Формат: DjVu
Качество: Отсканированные страницы
Количество страниц: 152
Описание: В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.
Доп. информация: Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов.
Из предисловия:
Повышенное внимание в последнее десятилетие к изучению гетероструктур вызвано объективными причинами: дальнейшее развитие полупроводниковой электроники потребовало поиска принципиально новых путей решения задачи улучшения основных параметров полупроводниковых приборов (кпд, мощности, быстродействия и др.). Гетероструктуры наряду с традиционными способами управления свойствами прибора (типом проводимости, уровнем легирования и количеством р—n-переходов) открыли возможность управления внутри структуры важнейшей характеристикой полупроводника — шириной запрещенной зоны, а значит, и оптическими константами и тем самым направленно улучшать основные параметры и характеристики почти всех полупроводниковых приборов, в ряде случаев создавать и принципиально новые.
Огромный интерес к гетероструктурам и быстрое завоевание ими полупроводниковой электроники связаны с созданием и исследованием в 1967 г. в ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР под руководством академика Ж. И. Алферова гетеропереходов в системе GaAs — AlAs, близких по своим свойствам к идеальным.
В основе работы большинства полупроводниковых приборов лежит явление инжекции, поэтому создание полупроводниковых приборов на основе гетероструктур стало возможным после получения эффективно инжектирующих гетеропереходов в системе GaAs — AlAs [1, 6]. Именно гетероструктуры на основе GaAs — AlAs обусловили реализацию многих интересных предложений по использованию гетероструктур в различных приборах, дали толчок интенсивной разработке принципиально новых приборов, указали пути поиска и реализации новых идеальных гетеропереходов.
Создание гетеропереходов, близких по своим свойствам к идеальным, позволило приступить к исследованию специфических особенностей электрических и оптических явлений, обусловленных особенностями зонной энергетической диаграммы идеального гетероперехода, наметить пути использования гетероструктур в полупроводниковых приборах.